【摘 要】
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聚偏氟乙烯(PVDF)是最热门的铁电聚合物材料之一,但由于制备具有铁电性能的铁电相一般需要特殊的处理方法,因此极大的限制了其应用.本文通过一种简单的热退火的方法制备了对基底无依赖的近乎100％γ 相的PVDF 薄膜.热退火后,降温过程形成了两种熔点的g 相.高熔点的g 相是由初始膜中存在的g 晶自成核诱导形成的,低熔点的g 晶由初始膜中的b 晶转变而来.两种不同熔点的g 晶含量随退火温度的变化而变
【出 处】
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中国化学会2017全国高分子学术论文报告会
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聚偏氟乙烯(PVDF)是最热门的铁电聚合物材料之一,但由于制备具有铁电性能的铁电相一般需要特殊的处理方法,因此极大的限制了其应用.本文通过一种简单的热退火的方法制备了对基底无依赖的近乎100％γ 相的PVDF 薄膜.热退火后,降温过程形成了两种熔点的g 相.高熔点的g 相是由初始膜中存在的g 晶自成核诱导形成的,低熔点的g 晶由初始膜中的b 晶转变而来.两种不同熔点的g 晶含量随退火温度的变化而变化.两种g 晶均形成针状的edge-on 片晶.铁电测试结果表明热处理后薄膜具有优异的铁电性能,极化强度为5.6 uC/cm2,接近文献报道的最优值；且薄膜具有很好的抗疲劳性能.这种采用简单且短时间的热处理方法制备铁电PVDF 薄膜的方法在工业应用上具有很大的优势.
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