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含氮的Ⅲ-Ⅴ族合金InxGa1-xN,由于其在光电器件、高密度光数据存储的、高功率转换方面的应用,受到了广泛关注。为了解释能带随合金成分的变化特性,我们采用基于密度泛函理论的第一原理方法,研究了半导体材料InxGa1-xN的电子结构、能带结构和能带Bowing参数。
铟镓氮半导体材料的电子结构杂化泛函计算探究
【摘 要】
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含氮的Ⅲ-Ⅴ族合金InxGa1-xN,由于其在光电器件、高密度光数据存储的、高功率转换方面的应用,受到了广泛关注。为了解释能带随合金成分的变化特性,我们采用基于密度泛函
【机 构】
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厦门大学物理系 厦门 361005
【出 处】
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中国物理学会2015年秋季会议
【发表日期】
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2015年期
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