【摘 要】
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目前市售硬碟其记录媒体的主流材料系统为CoCrPt-oxide磁性薄膜，藉由氧化物与铬等非磁性相偏析於磁晶界上，可降低磁晶间的交互耦合作用力及缩小磁晶粒径，进一步提升碟片的记录密度。本研究以粉末冶金制程进行CoCrPt-SiO2、CoCrPt-Ta2O5、CoCrPt-SiO2-Ta2O5溅镀靶材的制作,并以直流磁控溅镀方式制作出磁性薄膜之後，针对不同陶瓷对CoCrPt磁性薄膜的影响进行探讨。研究
【机 构】
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中國鋼鐵公司 新材料研究發展處 中國鋼鐵公司 新材料研究發展處 國立清華大學 材料工程學系
【出 处】
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2011全国粉末冶金学术会议暨海峡两岸粉末冶金技术研讨会
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目前市售硬碟其记录媒体的主流材料系统为CoCrPt-oxide磁性薄膜，藉由氧化物与铬等非磁性相偏析於磁晶界上，可降低磁晶间的交互耦合作用力及缩小磁晶粒径，进一步提升碟片的记录密度。本研究以粉末冶金制程进行CoCrPt-SiO2、CoCrPt-Ta2O5、CoCrPt-SiO2-Ta2O5溅镀靶材的制作,并以直流磁控溅镀方式制作出磁性薄膜之後，针对不同陶瓷对CoCrPt磁性薄膜的影响进行探讨。研究结果显示，三种不同CoCrPt-Oxide磁性薄膜系统皆具备垂直磁异向性，但矫顽场(Hc)以CoCrPt-SiO2-Ta2O5薄膜系统较高，约～4400 Oe;此外，Ta2O5比SiO2氧化物偏析於磁晶界的能力较强，且能有效地降低磁晶薄膜间的交互耦合作用力：若同时添加Ta2O5与SiO2两种氧化物时，其薄膜的磁异向性(Ku)皆比单独添加者高,因此，CoCrPt-SiO2-Ta2O5薄膜的热稳定因数(thermal stability factor)高达93.6，可以满足现阶段垂直记录媒体对热稳定性的要求(KuV*/KbT＞60)。
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