【摘 要】
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宽禁带半导体材料优势第三代半导体:宽带隙、高临界击穿电场、高电子饱和速度、耐高温、高稳定性;相同的击穿电压下,宽禁带半导体器件的比导通电阻理论上要比Si基器件低几个
【机 构】
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中国科学院上海微系统与信息技术研究所
【出 处】
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第十一届中国国际半导体博览会暨高峰论坛
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宽禁带半导体材料优势第三代半导体:宽带隙、高临界击穿电场、高电子饱和速度、耐高温、高稳定性;相同的击穿电压下,宽禁带半导体器件的比导通电阻理论上要比Si基器件低几个量级;SiC、 GaN、 Diamond、 Ga2O3、 AlN等宽禁带半导体具有很高的Baliga优值,在高压大功率领域具备巨大的应用潜力.
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