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我们结合采用基于密度泛函理论的线性缀加平面波方法、GGA+U交换关联修正及最大局域瓦尼尔函数方法,针对C02FeSi和C02MnSi这两种具有极高居里温度的赫斯勒化合物的本征反常霍尔电导进行了系统的分析。我们的研究结果表明,对于C02FeSi,他的本征反常霍尔系数和磁矩随U值的变化非常明显。