【摘 要】
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本文用CMOS反相器作比较器设计了一个3位的高速低功率flash ADC核.该ADC核可以应用到分级型和流水线型结构的ADC中实现更高的转换位数。该3位ADC核采用Choudhury等人提出的编
【机 构】
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微电子技术四川省重点实验室,四川大学物理科学与技术学院,成都,610064
【出 处】
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四川省电子学会半导体与集成技术专委会2006年度学术年会
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本文用CMOS反相器作比较器设计了一个3位的高速低功率flash ADC核.该ADC核可以应用到分级型和流水线型结构的ADC中实现更高的转换位数。该3位ADC核采用Choudhury等人提出的编码方案。解决了高速ADC的编码电路问题。采用SMIC的0.35um/3.3CMOS 工艺模型,用Candence软件进行仿真,该3位ADC速度高达2Gsps,在该速度下具有0.56mW的低功率。
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