【摘 要】
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Ⅲ族氮化物材料包括InN、AlN、GaN及其合金体系,因其优良的物理化学特性,广泛应用于电子器件及光电子器件.其中InAlN三元合金,在In组份接近0.18时可实现与GaN的面内晶格匹配,同时InAlN材料具有宽禁带高折射率的特点,在InAlN/GaN高迁移率晶体管、布拉格反射镜和激光器等领域具有较大优势.
【机 构】
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广东省工业技术研究院,广东省广州市天河区长兴路363号,510650 日本名古屋工业大学纳米器件与
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Ⅲ族氮化物材料包括InN、AlN、GaN及其合金体系,因其优良的物理化学特性,广泛应用于电子器件及光电子器件.其中InAlN三元合金,在In组份接近0.18时可实现与GaN的面内晶格匹配,同时InAlN材料具有宽禁带高折射率的特点,在InAlN/GaN高迁移率晶体管、布拉格反射镜和激光器等领域具有较大优势.
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以氧化锌为代表的简单体系极性氧化物具有独特的光电特性及高击穿电压、高电子饱和速率等优点,是继Ⅲ族氮化物之后在短波长光电子器件及高频高功率电子器件的应用方面又一重要的优选材料.氧化物界面二维电子气(2DEG)的奇异量子现象及调控机制成为当前材料与物理领域的研究热点.
低频噪声特性分析是研究场效应管器件界面特性及其载流子输运机制的有效手段.在本文中,我们研究了非晶InGaZnO (a-IGZO)基薄膜晶体管的低频噪声特性,并藉此对其界面陷阱态密度进行了表征.我们首先制备了基于磁控溅射淀积a-IGZO的薄膜晶体管(μFE=10.3cm2V-1s-1,SS=O.25V/dec,Vth=5.4V,Ion/Ioff＞108)(Fig.1).
ZnO-TCO薄膜具有原材料丰富，易于形成绒面结构特征及强等离子体环境中抗还原能力等优点成为当前研究的重点和热点。杂质掺杂型的ZnO薄膜(如BZO和AZO等)具有较低电阻率和高稳定性能。绒面结构有助于减少界面反射，提高光学散射，增加入射光在吸收层的光程，有效提高薄膜电池短路电流密度，从而提高太阳电池光电转化效率。
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