论文部分内容阅读
Ge对CZSi氧沉演成核与沉淀形状的影响
【机 构】
：
工业大学半导体材料研究所
【出 处】
：
第十一届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
【发表日期】
：
1999年期
其他文献
对GaAs注入施主型杂质离子Te(或Se,S),在高注入剂量下经高温退火后仍有大量注入原子不能电激活。过去,利用穆斯堡尔谱(简称MS)研究GaAs中Te有过一些工作。William-son等测量
会议
采用射频磁控技术，用Ge、SiO的复合靶制备锗纳米晶镶嵌在二氧化硅中的复合薄膜。分别采用沉积时控制基片温度和退火后处理工艺技术来调制薄膜中锗晶粒尺寸。结果表明两种工艺
用锗作为衬底制作的GaAs／Ge太阳能电池，其性能与GaAs／GaAs电池接近，机械强度更离，单片电地面积更大。在空间应用环境下，抗辐射阈值比硅电池高，性能衰退小，其应用成本接近于同样功率的
最早我是通过《文汇报·笔会》知道张定浩的,那时他正在《笔会》陆续发表谈《诗经》的潇洒轻妙的随笔,主编周毅女士如获至宝,逢人说项,我赶紧找来拜读,果然不同凡响,以为大概
期刊
1套用一句已故贾植芳先生常用的自我调侃语,我与德海,可以说是“老关系户”了。没记错的话,德海是我的师兄张新颖的第一个研究生,我还记得2001年他入学前,新颖兄和我闲聊,说
期刊