【摘 要】
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本文阐述了用MBE方法在蓝宝石衬底上制备的GaN基p-i-n多层结构,应用常规的半导体工艺制成紫外探测器件,并对其特性进行了研究,得出其正向导通电压为5.2V,反向击穿电压大于40V,反偏5V时的暗电流为0.127nA,以80W高压汞灯照射时反偏5V时明电流为6.739nA,明暗电流之比为53.06.
【机 构】
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北京工业大学电控学院可靠性物理研究室 河北半导体研究所(石家庄市)
【出 处】
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第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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本文阐述了用MBE方法在蓝宝石衬底上制备的GaN基p-i-n多层结构,应用常规的半导体工艺制成紫外探测器件,并对其特性进行了研究,得出其正向导通电压为5.2V,反向击穿电压大于40V,反偏5V时的暗电流为0.127nA,以80W高压汞灯照射时反偏5V时明电流为6.739nA,明暗电流之比为53.06.
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记得在苏州开的第五次花式纱线技术交流会上我也谈过花式捻线机的现状和展望,转眼已经七年过去了.在这几年中我国的花式捻线机已有了很大的进步.这一点可以从今年上海国际纺织机械展览会看出.如宏源无锡五纺机展出的九罗拉双牵伸花式捻线机,这种机型采用二根中罗拉和二根后罗拉、双皮圈、公用前罗拉.该花式捻线机在国内处于领先地位,并出口到土耳其.它可以用二组不同颜色、不同纤维成分和长度、粗细不同的粗纱喂入,通过各自
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