论文部分内容阅读
为了方便快捷地对高压电源进行测试,本文采用单片机、A/D模数转换器、数字存储器构成的测试系统实现了对单次特殊电压信号和电流信号的采集、存储、处理和显示.模块化设计使该测试仪具有较强的可编程性和可维护性。同时本文还对其中的主要技术问题进行了讨论。
单片机在高压电源测试中的应用
【摘 要】
：
为了方便快捷地对高压电源进行测试,本文采用单片机、A/D模数转换器、数字存储器构成的测试系统实现了对单次特殊电压信号和电流信号的采集、存储、处理和显示.模块化设计使该测试仪具有较强的可编程性和可维护性。同时本文还对其中的主要技术问题进行了讨论。
【机 构】
：
中国工程物理研究院五所
【出 处】
：
四川省电子学会电子测量与仪器专委会第十一届学术年会
【发表日期】
：
2003年4期
其他文献
采用分析纯SnCl·5HO和NH·HO为主要原料,控制不同掺杂M2+/Sn4+摩尔比,利用均匀共沉淀法制备了掺杂SO纳米粉体样品,并以白云母为基片利用厚膜工艺制得气敏元件。对样品的结构、结晶性能等分析发现,掺杂阳离子M以类质同像的方式代替了SO晶格中的s+,并引起了M-O键长、晶胞参数和M-O八面体电价平衡的非均一性,进而提高了粉体活性和半导体性能。在不同浓度H中元件气敏性能测试表明,半导体掺杂尤
氧化锌(ZnO)具有较宽的带隙(3.3eV)和较低的亲和势(3.0eV),有可能用作薄膜场发射中的阴极材料。本文主要研究了采用射频溅射法制备不同掺杂(Al)浓度ZnO薄膜时,掺杂浓度对光致场发射的影响。通过SEM电镜观察样品表面,发现表面存在纳米晶化颗粒,正是这些晶粒成为发射中心。当掺杂浓度为30at％,3w光源照射时,薄膜阴极开启电场为3.8V/μm。
采用分析纯FeCl·6HO和NH·HO为主要原料,控制不同Cu摩尔比,采用均匀共沉淀法制备了Cu2掺杂。Cu掺杂α-FeO纳米粉体,并以氧化铝陶瓷为基片利用厚膜工艺制得气敏元件。通过XRD、IR对样品的结构、活性等分析发现,Cu以类质同像的方式代替了α-FeO晶格中的Fe,导致α-FeO晶胞参数发生变化,进而提高了粉体活性及半导体性能。对元件的气敏性能测试及敏感机理研究表明,常温下元件对H、CH有
本文主要介绍了PCI功能的软接口设计,讲述了PCI功能的配置空间,配置首部格式,如何获得PCI功能的配置空间内容,从而获得PCI功能寄存器基址,由此访问PCI功能寄存器,进行PCI功能软接口设计.
基于故障树分析(fault tree analysis,简称FTA)理论,本文论述了IFF(Identification Friend or Foe)系统故障树的建立,通过对FTA做定性分析得到该系统的最小割集,用定量分析计算得到其结构重要度,最后阐述了该系统故障诊断软件的结构及设计.
波形分析软件是VXI波形分析仪的重要组成部分,其运行效率的高低直接影响着VXI波形分析仪的整体性能。采用多线程程序设计方法将有助于进行数据传输和仪器控制,提高系统响应速度。本文论述LabWindows/CVI下多线程技术在波形分析软件中的设计思想和方法。
在一些特殊的应用领域,一些场景图像需要通过网络或其他开放的通信手段发送到指定的工作点,供监控人员使用。由于其中可能存在着敏感信息和保密信息,需要对它们进行保护,防止泄漏.通过局部图像加密技术,既保护传送图像信息的安全,又不影响合法用户对图像的使用。可有效地提高我国的远程监测监视能力。
本文概要介绍了采用基于网络的分布式测控技术组建LIA加速器测控系统的基本架构和功能,对其目前可采用的软硬件新技术在本领域的应用作了一定程度的探讨和展望。
本文简要分析了多种半导体探测器的工作原理及其应用,对低阈值瞬时辐射环境探测器进行了重点研究。本文还介绍了低阈值探测器的瞬态效应试验,给出了结果。