【摘 要】
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氧化锌( ZnO)半导体由于其广泛的用途受到越来越多的关注。然而,至今ZnO一些基本的性质还没有研究清楚,例如,n型导电以及p型ZnO稳定性等。第一性原理计算表明,在排除了本
【机 构】
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武汉大学物理科学与技术学院,湖北省核固体物理重点实验室,武汉,430073西北工业大学凝固技术国家重点实验室,西安,710072
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氧化锌( ZnO)半导体由于其广泛的用途受到越来越多的关注。然而,至今ZnO一些基本的性质还没有研究清楚,例如,n型导电以及p型ZnO稳定性等。第一性原理计算表明,在排除了本征缺陷(氧空位和锌填隙)的可能性外,氢(H)被认为是最有可能导致其n型导电的原因。目前,许多实验已经研究了ZnO在氢气氛下退火,氢等离子体处理以及氢离子注入等导致的缺陷与其性质之间的联系,然而,通过电化学充氢H和ZnO的相互作用却很少报道。另外,光电器件的制造过程中化学刻蚀也是关键的一步。本文采用慢正电子束技术,配合X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)等对比研究了Zn0单晶电化学充氢及腐蚀导致的微结构和缺陷的变化。
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