【摘 要】
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本文描述了0.5～1GHz、1～2GHz、2～4GHz、4～8GHz、8～18GHz的PIN吸收型衰减器的设计方法和实现过程.该PIN吸收型衰减器采用微波混合集成工艺,具有成本低、体积小、加工方便、插入损耗
【机 构】
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信息产业部电子第二十九研究所(成都)
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本文描述了0.5～1GHz、1～2GHz、2～4GHz、4～8GHz、8～18GHz的PIN吸收型衰减器的设计方法和实现过程.该PIN吸收型衰减器采用微波混合集成工艺,具有成本低、体积小、加工方便、插入损耗小并且在较宽的频带内能得到较大的可调衰减范围(0～60dB),而维护较小的输入驻波比的特点.
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