【摘 要】
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在多晶硅铸锭过程中,熔融石英坩埚和氮化硅涂层中的杂质通过固相扩散进入并残留在多晶硅锭中形成多晶硅锭边部和底部的低少子寿命区.本文通过在坩埚侧壁制作掺钡高纯隔离层来阻挡坩埚侧壁中的杂质向硅锭中扩散,降低硅锭中的边部红区比例.结果表明采用掺钡高纯隔离层可以将硅锭中的边部红区变窄,将硅方中的边部红区完全消除.
【机 构】
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南京工业大学,南京 210009 南京工业大学,南京 210009;东海晶澳太阳能科技有限公司,连
【出 处】
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第十四届中国光伏大会暨2014中国国际光伏展览会
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在多晶硅铸锭过程中,熔融石英坩埚和氮化硅涂层中的杂质通过固相扩散进入并残留在多晶硅锭中形成多晶硅锭边部和底部的低少子寿命区.本文通过在坩埚侧壁制作掺钡高纯隔离层来阻挡坩埚侧壁中的杂质向硅锭中扩散,降低硅锭中的边部红区比例.结果表明采用掺钡高纯隔离层可以将硅锭中的边部红区变窄,将硅方中的边部红区完全消除.
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