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SiC材料的宽禁带、高热导率、高饱和电子速度、高击穿电场等特性决定SiC器件可以在高温大功率下工作,在国民经济各方面具有广泛的应用.而SiC材料在高温,大功率和高频半导体器件领域应用的关键工艺之一是制备高稳定性和低电阻的欧姆接触.欧姆接触质量的好坏、接触电阻的大小直接影响器件的效率、增益和开关速度等性能指标.本文报道了采用Ta和Pt在n型SiC体材料上制备欧姆接触结果.