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Zinc vacancy induced room-temperature ferromagnetism of ZnO films
【机 构】
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复旦大学光科学与工程系,上海200433复旦大学光科学与工程系,上海200433;复旦大学上海超精密光学制造工程技术研究中心,上海200433
【出 处】
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第十八届全国凝聚态光学性质学术会议
【发表日期】
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2016年8期
其他文献
本文利用第一性原理方法计算了边缘氢化和氟化的锯齿型GaN 纳米带(zGaNNRs)的电学和磁学特性。文中讨论五种氢化结构和四种氟化结构，不同的结构展现了不同的电学和磁学性