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会议论文
HL-1M装置内壁锂涂覆实验
HL-1M装置内壁锂涂覆实验
来源 :第九届全国等离子体科学技术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:wlj190151
【摘 要】
:
HL-1M装置运行期间,一直在探索适合本装置的壁处理技术,分别研究了硼化、硅化和锂涂覆技术。其中,硅化已成为装置的常规壁处理技术,锂涂覆技术还在探索中。该文详细介绍了HL-1M装
【作 者】
:
王明旭
张年满
王志文
王恩耀
严东海
崔成河
梁雁
【机 构】
:
核工业西南物理研究院
【出 处】
:
第九届全国等离子体科学技术会议
【发表日期】
:
1999年8期
【关键词】
:
锂涂覆技术
杂质
杂质辐射
壁状态
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HL-1M装置运行期间,一直在探索适合本装置的壁处理技术,分别研究了硼化、硅化和锂涂覆技术。其中,硅化已成为装置的常规壁处理技术,锂涂覆技术还在探索中。该文详细介绍了HL-1M装置锂化技术的进展、锂化效果和锂化后的内壁状态以及目前锂化技术的不足。
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