【摘 要】
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运用内耗技术和电子显微分析方法研究了ODS合金PM2000晶内孔洞的形成机理.对单晶体的内耗研究发现,在内耗一温度谱的770℃附近出现一内耗峰,该内耗峰具有弛豫特征,平均激活能为3.1eV.认为该内耗峰由弥散颗粒附近的应力集中沿界面扩散弛豫引起.电子显微分析显示,晶内孔洞为椭球形,与孔洞内氧化物颗粒共生存在.因此认为,晶内孔洞是由于挤压变形产生的应力集中梯度沿界面扩散弛豫而形成的.
【机 构】
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中国科学院固体物理研究所材料物理重点实验室,安徽,合肥,230031;内蒙古科技大学,材料科学与工程学院,内蒙古,包头,014010
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运用内耗技术和电子显微分析方法研究了ODS合金PM2000晶内孔洞的形成机理.对单晶体的内耗研究发现,在内耗一温度谱的770℃附近出现一内耗峰,该内耗峰具有弛豫特征,平均激活能为3.1eV.认为该内耗峰由弥散颗粒附近的应力集中沿界面扩散弛豫引起.电子显微分析显示,晶内孔洞为椭球形,与孔洞内氧化物颗粒共生存在.因此认为,晶内孔洞是由于挤压变形产生的应力集中梯度沿界面扩散弛豫而形成的.
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