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会议论文
三氯氢硅合成的探讨
三氯氢硅合成的探讨
来源 :第八届全国铅锌冶金生产技术及产品应用学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:m200997
【摘 要】
:
本文阐述了SiHCl合成的原理,并从反应温度、原料中含氧和水份、硅粉料层高度及氯化氢流量、硅粉粒度等几个方面对SiHCl合成的影响进行了探讨.
【作 者】
:
汤传斌
【机 构】
:
北京有色冶金设计研究总院
【出 处】
:
第八届全国铅锌冶金生产技术及产品应用学术年会
【发表日期】
:
2001年6期
【关键词】
:
三氯氢硅
合成原理
多晶硅
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本文阐述了SiHCl<3,>合成的原理,并从反应温度、原料中含氧和水份、硅粉料层高度及氯化氢流量、硅粉粒度等几个方面对SiHCl<,3>合成的影响进行了探讨.
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