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该文对多孔聚碳硅烷的合成反应条件进行了较为详细的研究，并通过改变化学反应的温度、压力和反应时间制备熔点为380℃、Mn>3000、陶瓷收率达79wt℅，密度<0.3g/cm<3>先驱体聚合物，该先驱体在一定的升温条件下，无需经过不熔化处理即可直接烧成陶瓷材料，并保持形状不变。文中不利用IR、TG等手段对该先驱体的热解机理进行了初步探讨。