【摘 要】
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本文报道了在p-3C-SiC外延膜上分别用Al和AuGeNi形成欧姆接触的结构和电学特性.采用原位硼烷(BH)掺杂技术在蓝宝石(0001)衬底上用LPCVD方法生长p-3C-SiC外延膜.Hall测量其载流子浓度分别为P=1.33×10cm和P=4.52×10cm.将制得的样品分别在450℃,600℃和710℃下退火.用TLM方法测量其特征电阻,测得Al/p-3C-SiC欧姆接触在710℃退火之后
【机 构】
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中国科学院半导体研究所(北京) 兰州大学(兰州)
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本文报道了在p-3C-SiC外延膜上分别用Al和AuGeNi形成欧姆接触的结构和电学特性.采用原位硼烷(B<,2>H<,6>)掺杂技术在蓝宝石(0001)衬底上用LPCVD方法生长p-3C-SiC外延膜.Hall测量其载流子浓度分别为P=1.33×10<17>cm<-3>和P=4.52×10<16>cm<-3>.将制得的样品分别在450℃,600℃和710℃下退火.用TLM方法测量其特征电阻,测得Al/p-3C-SiC欧姆接触在710℃退火之后的特征电阻率为ρ<,c>=0.02Ω·cm<2>(P=1.33×10<17>cm<-3>,同样测得AuGeNi/p-3C-SiC的特征电阻率为ρ<,c>=0.035Ω·cm<2>(P=4.52×10<16cm<-3>).
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利用机械合金化法制备Nd基非晶合金,并且研究了球磨过程中合金的结构和磁性的变化,以及球磨制得的非晶合金的晶化转变过程.结果表明:成分为NdFeAlCo粉末球磨过程中,Al单质首先消失,10h后有部分非晶形成,球磨100h后,除可观察到少量α-Fe相外,基本为非晶相,此时,合金具有一定的硬磁性,矫顽力约为43kA/m.少量晶化后,磁性能变化不大,大量晶化后硬磁性迅速消失.
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