采用ＶＧ ＭＩＣＲＯＬＡＢ ＭＫ Ⅱ型分析仪上配置的细聚焦Ｇａ液态金属离子源和四极质谱ＭＭ１２－１２Ｓ组合成具有高灵敏度、高空间分辨的ＳＩＭＳ技术，对吸附氘的Ｔｉ金属小片进行表面、断面、裂纹多方位测试。在不同方位上进行横向多占粉析及不同点的深度分析。放在超高真空（２．５×１０〈’７〉Ｐａ）中加热，分析解析出的残气。并巧６妙采用负离子质谱，排除Ｈ〈，２〉对Ｄ的干扰，将测试的记数值代入式Ｉ〈，Ｄ〉／（Ｉ〈，Ｄ〉＋Ｉ〈，Ｈ〉），求出测试各点Ｄ的丰度，从而提示了同位素Ｈ与Ｄ在小钛片中分布规律的差异，氢很容易进入钛中，哪怕已被碳、氧元素污染，也能吸附氢，但在１５０℃时，已有明显的解析现象，氘常常分布在清洁的Ｔｉ晶格区域，碳氧的污染对吸附氘有明显的防碍作用，１５０℃，吸附的氘是稳定的，没有发现解析现象。