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Surface passivation fundamentals Reduction of recombination centres Unpassivated c-Si surface contains～1014 cm-2 defects
Progress in understanding of surface passivation by silicon nitride for industrial silicon wafer sol
【摘 要】
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Surface passivation fundamentals Reduction of recombination centres Unpassivated c-Si surface contains～1014 cm-2 defects
【机 构】
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UNSW AUSTRALIA
【出 处】
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第十二届中国太阳级硅及光伏发电研讨会
【发表日期】
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2016年10期
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