【摘 要】
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采用化学气相沉积法在厚度约450nm的ZnO晶种层上分别生长了ZnO纳米棒/纳米锥阵列,并对其场发射特性进行了研究.研究结果发现:沿c轴择优取向的ZnO晶种层中含有较少缺陷;长度分别为7μm和3.5μm的Zn0纳米棒/纳米锥均沿[0001]方向生长,ZnO纳米棒/纳米锥包含大量氧空位缺陷;ZnO纳米棒顶端尺寸约150nm,而ZnO纳米锥具有非常尖锐的尖端;ZnO纳米棒/纳米锥的面密度分别为2.6×
【机 构】
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深圳大学材料学院,广东深圳518060 吉林大学超硬国家重点实验室,吉林长春130012
【出 处】
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中国电子学会真空电子学分会第二十届学术年会
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采用化学气相沉积法在厚度约450nm的ZnO晶种层上分别生长了ZnO纳米棒/纳米锥阵列,并对其场发射特性进行了研究.研究结果发现:沿c轴择优取向的ZnO晶种层中含有较少缺陷;长度分别为7μm和3.5μm的Zn0纳米棒/纳米锥均沿[0001]方向生长,ZnO纳米棒/纳米锥包含大量氧空位缺陷;ZnO纳米棒顶端尺寸约150nm,而ZnO纳米锥具有非常尖锐的尖端;ZnO纳米棒/纳米锥的面密度分别为2.6×108/cm2和1.9×108/cm2;ZnO纳米锥具有相对较低的开启电场～6.1V/μm和较高的场增强因子～1641.本文对影响场发射性能的因素进行了讨论.
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