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本文报道了面阵规模320×256、像元间距30μm的InAs/GaSb Ⅱ类超晶格短波、中波、长波红外焦平面探测器组件的研制和性能测试.采用分子束外延技术生长超晶格材料,通过台面刻蚀、双层钝化、金属接触电极生长和与读出电路的倒焊互联以及后续封装等工艺,分别制备了320×256短波、中波、长波红外焦平面探测器组件.各波段探测器均得到清晰的成像效果,中波、长波探测器的NETD分别达12.4mK@80K、15mK@68K,短波探测器的信噪比≥100@80K.此成果为后续双色、多色探测器的制备提供了坚实基础.