【摘 要】
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纳米线表面缺陷态对纳米线太阳电池性能影响至关重要.我们提出在硅纳米线表面沉积本征a-Si:H 薄膜作为钝化层,研究a-Si:H 薄膜对纳米线表面结构及光电性能的作用.硅纳米线表面的形貌用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)表征,纳米线表面键、光学性质依次通过傅里叶红外光谱(FTIR)、光致发光谱(PL)表征.在径向p-n 结硅纳米线电池中加入本征a-Si:H 层后,得到电池的开路电压
【机 构】
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中科院半导体研究所材料科学重点实验室,北京 100083 中科院半导体研究所集成光电子学国家重点联
【出 处】
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第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会(CPVC12)
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纳米线表面缺陷态对纳米线太阳电池性能影响至关重要.我们提出在硅纳米线表面沉积本征a-Si:H 薄膜作为钝化层,研究a-Si:H 薄膜对纳米线表面结构及光电性能的作用.硅纳米线表面的形貌用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)表征,纳米线表面键、光学性质依次通过傅里叶红外光谱(FTIR)、光致发光谱(PL)表征.在径向p-n 结硅纳米线电池中加入本征a-Si:H 层后,得到电池的开路电压(VOC)为0.62 eV ,我们对此结果的产生机理进行探讨.
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