APTES为单一硅源制备SiO2包覆羰基铁粉及其吸波性能

来源 :2015中国国际功能材料科技与产业高层论坛 | 被引量 : 0次 | 上传用户：pangpanghai

【摘要】

：

　　以3-氨丙基三乙氧基硅烷(APTES)为单一硅源，利用化学浴沉积法在羰基铁粉(CIP)表面包覆SiO2获得SiO2@CIP核壳结构复合吸波剂，采用X射线衍射仪(XRD)、红外吸收谱仪、扫描电子

【作者】

：

冯旺军郑文谦李靖刚骏涛赵星杨华

【机构】

：

省部共建有色金属先进加工与再利用国家重点实验室,兰州730050,中国;兰州理工大学理学院,兰州730050,中国兰州理工大学理学院,兰州730050,中国

【出处】

：

2015中国国际功能材料科技与产业高层论坛

【发表日期】

：

2015年10期

【关键词】

：

SiO2包覆羰基铁粉复介电常数复磁导率反射吸收率

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　　以3-氨丙基三乙氧基硅烷(APTES)为单一硅源，利用化学浴沉积法在羰基铁粉(CIP)表面包覆SiO2获得SiO2@CIP核壳结构复合吸波剂，采用X射线衍射仪(XRD)、红外吸收谱仪、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)等技术表征了所制备材料的组成、形貌和结构；通过矢量网络分析仪测试样品的电磁性能。

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