【摘 要】
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The threshold voltage shift (△Vth) under positive gate bias stress (PGBS), generally found in amorphous InGaZnO thin film transistors (a-IGZO TFTs),has usually been suppressed by the external passivat
【机 构】
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State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies,School of Physics and Engineering,
【出 处】
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2015广东材料发展论坛——新材料与先进制造大会
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The threshold voltage shift (△Vth) under positive gate bias stress (PGBS), generally found in amorphous InGaZnO thin film transistors (a-IGZO TFTs),has usually been suppressed by the external passivation layers.We report it can also be alleviated by the self-passivation effect of the active layer,where moderately increasing the active layer thickness (ds) reduces △Vth by 82％ in SiOx-passivated a-IGZO TFTs.
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