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该文给出了非加固CMOS器件54HC04利用<90>Sr-<90>Y源半导体辐射效应在线测量系统进行的电离辐射效应研究结果。在国仙首次给出了器件在连续辐照状态下的效就数据。研究结果表明：非加固54HC04折抗辐射水平在1-3×10<2>Gy。
非加固CMOS器件54HC04<'90>Sr-<'90>Y源
【摘 要】
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该文给出了非加固CMOS器件54HC04利用Sr-Y源半导体辐射效应在线测量系统进行的电离辐射效应研究结果。在国仙首次给出了器件在连续辐照状态下的效就数据。研究结果表明：非加固
【机 构】
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西北核技术研究所六室
【出 处】
：
第六届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会
【发表日期】
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1999年期
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