【摘 要】
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本文采用HMI 开发的AFORS-HET 软件模拟研究了AM1.5 条件下双层发射极(a-Si(heavy doped)/a-Si(light doped)/i-a-Si:H/c-Si,D-emitter)结构对于HIT 太阳电池性能的改善.结果表明：D-emitter 结构的HIT 太阳电池的开路电压,短路电流及填充因子相比于单层发射极结构(a-Si(doped)/i-a-Si:H/c-Si,
【出 处】
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第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会(CPVC12)
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本文采用HMI 开发的AFORS-HET 软件模拟研究了AM1.5 条件下双层发射极(a-Si(heavy doped)/a-Si(light doped)/i-a-Si:H/c-Si,D-emitter)结构对于HIT 太阳电池性能的改善.结果表明：D-emitter 结构的HIT 太阳电池的开路电压,短路电流及填充因子相比于单层发射极结构(a-Si(doped)/i-a-Si:H/c-Si, S-emitter)的HIT 太阳电池均有所提升,可获得更高的转换效率.对于n 型c-Si 片太阳电池,S-emitter结构(a-Si(p)/i-a-Si:H/c-Si(n)) 最优转换效率为25.19％ , D-emitter 结构(a-Si(p+)/a-Si(p-)/i-a-Si:H/c-Si(n))最优转换效率为25.98％.对于p 型c-Si 片太阳电池,S-emitter 结构(a-Si(n)/i-a-Si:H/c-Si(p))的最优转换效率为22.02％,D-emitter 结构(a-Si(n+)/a-Si(n-)/i-a-Si:H/c-Si(p))的最优转换效率为24.29％.
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