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AgInS2(1-x)Se2x多级纳米结构的合成及表征
AgInS2(1-x)Se2x多级纳米结构的合成及表征
来源 :中国化学会第30届学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:lzm8020117
【摘 要】
:
Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族半导体纳米材料是一类具有优异光电性质的功能材料,在新一代低成本太阳能电池、生物荧光标记、发光二极管、可见光光催化等领域具有重要的应用前景,近年来吸引了
【作 者】
:
刘忠平
罗琳琳
钟发春
【机 构】
:
中国工程物理研究院化工材料研究所,四川省新材料研究中心,四川省绵阳市科创园园艺街20号,621000
【出 处】
:
中国化学会第30届学术年会
【发表日期】
:
2016年期
【关键词】
:
多级
纳米结构
半导体纳米材料
生物荧光标记
可见光光催化
太阳能电池
发光二极管
应用前景
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Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族半导体纳米材料是一类具有优异光电性质的功能材料,在新一代低成本太阳能电池、生物荧光标记、发光二极管、可见光光催化等领域具有重要的应用前景,近年来吸引了人们极大的研究兴趣[1]。
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