【摘 要】
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为了解浸渍钡钨阴极表面各元素的化学状态，本文采用同步辐射光电子谱技术对激活前后的阴极表面进行了研究。结果表明，与激活前相比，经1150℃×90min高温激活后，阴极表面吸附层厚度减薄，吸附C完全消失，O含量明显升高，W含量增加1倍，Ba含量增加2倍。另外，阴极表面的O1s、W4f和Ba3d等的谱峰均向高结合能方向显著位移。分析认为，激活后的阴极表面分布的吸附氧，使W基体以及阴极表面的Ba均产生吸附
【机 构】
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中国科学院电子学研究所,中国科学院高功率微波源与技术重点实验室,北京,100190 中国科学院高能
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为了解浸渍钡钨阴极表面各元素的化学状态，本文采用同步辐射光电子谱技术对激活前后的阴极表面进行了研究。结果表明，与激活前相比，经1150℃×90min高温激活后，阴极表面吸附层厚度减薄，吸附C完全消失，O含量明显升高，W含量增加1倍，Ba含量增加2倍。另外，阴极表面的O1s、W4f和Ba3d等的谱峰均向高结合能方向显著位移。分析认为，激活后的阴极表面分布的吸附氧，使W基体以及阴极表面的Ba均产生吸附氧化，Ba在阴极表面主要以吸附化合物Bam·On(m≤n)的形式存在。
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