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在室温条件下，研究了辐照偏置、总剂量和剂量率对ＰＭＯＳ剂量计辐照剂量记录－阈值的稳定性影响，观察了辐照后阈值在不同栅偏条件下的变化趋势和幅度。分析认为慢界面陷阱中电荷的“充放电”是造成不稳定的首要原因。结果表明，该种由慢界面态造成的阈值变化在每次开机测量下个有重复性。讨论了在PMOS剂量计中提高稳定性的办法。