Ni掺杂PbPdO2自旋零禁带半导体薄膜的制备工艺研究

来源 :2015广东材料发展论坛——新材料与先进制造大会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:sibsiufeuhfhkshu
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2008年,澳大利亚Wollongong大学的王小林教授利用第一性原理计算第一次提出了自旋零禁带半导体概念.这是一种全新的能带关系.他通过计算发现:PbPdO2具有零禁带半导体结构,而PbPd0.75Co0.25O2符合自旋零禁带半导体概念.据此,王教授提出在零禁带半导体中引入磁性离子造成能带结构上的磁性分裂,可产生新的能带结构.自旋零禁带半导体具有独特的能带结构,它们既存在禁带,同时相同或者不同自旋方向的导带底和价带顶在费米能级处相接触,从而产生零禁带.由此可以看出自旋零禁带半导体不仅具有零禁带半导体的特性,同时还能获得100%自旋极化载流子,从而有望获得高的自旋极化率和大的自旋弛豫长度,是继半金属和稀磁半导体之后的一种新型自旋电子材料.2009年,王小林通过激光脉冲沉积法(PLD)成功地在硅基板上制备出了PbPd0.75Co0.25O2薄膜,并发现其具有巨大的电致电阻效应和磁致电阻效应.2011年,本课题组利用溶胶-凝胶法在蓝宝石基板上成功制备出PbPd0.81Co0.19O2纳米颗粒膜,证实其具有自旋零禁带半导体特性同时含有高温铁磁性.
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