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他们通过采用自行改进的磁控Ｓ枪，利用直流反应磁控技术，首次成功制备出ＺｎＯ类单晶薄膜。改变溅射条件，则可以获得不同Ｏ／Ｚｎ比的ＺｎＯ〈，１－ｘ〉薄膜。
单晶ZnO薄膜的制备及其性能研究
【摘 要】
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他们通过采用自行改进的磁控Ｓ枪，利用直流反应磁控技术，首次成功制备出ＺｎＯ类单晶薄膜。改变溅射条件，则可以获得不同Ｏ／Ｚｎ比的ＺｎＯ〈，１－ｘ〉薄膜。
【机 构】
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大学硅材料国家重点实验室(杭州)
【出 处】
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第五届全国固体薄膜学术会议
【发表日期】
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1996年期
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