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MoS2/rGO薄层异质结的新奇光电特性
【机 构】
:
中国科学院半导体研究所,半导体超晶格国家重点实验室,北京,100083
【出 处】
:
第二十届全国半导体物理学术会议
【发表日期】
:
2015年3期
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