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5. Properties of p-GaN/YMnO3/ZnO p-I-n junctions with ferroelectric insulator

Properties of p-GaN/YMnO3/ZnO p-I-n junctions with ferroelectric insulator

来源 :第一届国际ALD应用大会暨第二届中国ALD学术交流会 | 被引量 : 0次 | 上传用户：x1ete

【作 者】

：

C.Chen H.Wu Z.W.Ai C.Liu 

【机 构】

：

Key Laboratory of Articial Micro-and Nano-structures of Ministry of Education,and Department of Phys

【出 处】

：

第一届国际ALD应用大会暨第二届中国ALD学术交流会

【发表日期】

：

2012年4期

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