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因CoFeB-MgO-CoFeB 隧道结所具有的超高隧道磁电阻率(TMR)及优异自旋转矩效应性能(STT)而一直备受研究人员的关注。要发展自旋转移矩型高密度磁随机存储器(STT-MRAM)，必须降低磁存储单元中驱动其自由层磁矩翻转的临界电流[2]。为此，我们详细研究了CoFeB 薄膜中与临界电流密度成正比的材料阻尼特性。