【摘 要】
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研究了采用磁控溅射沉积方法制备的FeCoB-SiO纳米颗粒膜.分析在77~300k的温茺范围测量得到的电阻率温变曲线,表明FeCoB-SiO纳米颗粒膜在不同体积比含量下存在不同的导电行为,由此可获得随着金属颗粒组分的增加该颗粒膜由绝缘性质导电机理向金属性质导机理转变的逾渗阈值.进一步的测量在2GHz下获取薄膜的复数磁导率、复数介电常数和静态磁参数,表明在逾渗阈值附近,FeCoB-SiO纳米颗粒膜具
【机 构】
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华中科技大学电子科学与技术系(湖北武汉)
【出 处】
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第五届中国功能材料及其应用学术会议
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研究了采用磁控溅射沉积方法制备的FeCoB-SiO<,2>纳米颗粒膜.分析在77~300k的温茺范围测量得到的电阻率温变曲线,表明FeCoB-SiO<,2>纳米颗粒膜在不同体积比含量下存在不同的导电行为,由此可获得随着金属颗粒组分的增加该颗粒膜由绝缘性质导电机理向金属性质导机理转变的逾渗阈值.进一步的测量在2GHz下获取薄膜的复数磁导率、复数介电常数和静态磁参数,表明在逾渗阈值附近,FeCoB-SiO<,2>纳米颗粒膜具有较高的磁导率和较低的介电常数,较高的电阻率,较高的孢和磁比强度.研究结果表明颗粒膜电磁特性在磁记录材料、磁传感器、磁存储和雷达波吸收材料等方面具有一定的应用前景.
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