【摘 要】
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石墨烯因其超高的迁移率和良好的光学特性成为新一代半导体光电材料的发展趋势.但是石墨烯与电磁波之间相互作用弱,限制了功能器件的实现与应用.针对该问题,本文提出将光栅和谐振腔相结合来提高石墨烯与电磁波的相互作用.通过化学气相沉积法(CVD)在铜箔上生长石墨烯薄膜,然后将石墨烯薄膜转移到Si/Si02基底上,再经过等离子体刻蚀、紫外光刻、电子束蒸发、ALD等工艺制备出同时具备光栅和谐振腔耦合的石墨烯等离
【机 构】
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中国空气动力研究与发展中心设备设计及测试技术研究所,绵阳621000 国防科学技术大学光电科学与工
【出 处】
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中国空气动力学会测控专业委员会第六届六次全国学术交流会
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石墨烯因其超高的迁移率和良好的光学特性成为新一代半导体光电材料的发展趋势.但是石墨烯与电磁波之间相互作用弱,限制了功能器件的实现与应用.针对该问题,本文提出将光栅和谐振腔相结合来提高石墨烯与电磁波的相互作用.通过化学气相沉积法(CVD)在铜箔上生长石墨烯薄膜,然后将石墨烯薄膜转移到Si/Si02基底上,再经过等离子体刻蚀、紫外光刻、电子束蒸发、ALD等工艺制备出同时具备光栅和谐振腔耦合的石墨烯等离子体器件.采用太赫兹时域透射谱测试方式,对石墨烯等离子体波太赫兹器件进行透射光谱测试,得到石墨烯等离子体波的频率处在太赫兹频段内,且相对吸收率达到60％以上.同时,石墨烯等离子体波的频率会随着光栅栅长(W-1/2)的变化而变化.
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