【摘 要】
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布线是FPGA的CAD流程中最为耗时的一个阶段,一种能有效缩短布线时间的方法就是并行布线.本文提出一种减少FPGA时序驱动布线算法运行时间的多线程方法.该算法首先将信号按照线网的扇出数量进行排序,再将排序后的线网平均分配到各个线程中,最后再并发执行所有的线程.在布线质量没有受到显著影响的前提下,即线长增加2.58％、关键路径延时增加1.78％的情况下,8线程下的加速比相对于传统VPR时序驱动布线算
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布线是FPGA的CAD流程中最为耗时的一个阶段,一种能有效缩短布线时间的方法就是并行布线.本文提出一种减少FPGA时序驱动布线算法运行时间的多线程方法.该算法首先将信号按照线网的扇出数量进行排序,再将排序后的线网平均分配到各个线程中,最后再并发执行所有的线程.在布线质量没有受到显著影响的前提下,即线长增加2.58％、关键路径延时增加1.78％的情况下,8线程下的加速比相对于传统VPR时序驱动布线算法为2.46.
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In this paper, the piezoelectric coefficient d33 of AlN thin films for MEMS applications was studied by the piezoresponse force microscopy (PFM) measurement and finite element method (FEM) simulation.
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本文从器件结构和电学特性等方面，对具有垂直结构和水平结构的Ⅲ-Ⅴ族纳米线晶体管的最新研究进展进行了综述。对于垂直器件，虽然高质量的垂直Ⅲ-Ⅴ族纳米线易于获得，但栅极的逻辑布线难以实现；对于水平结构器件，虽然栅极的逻辑布线与当前的平面硅差异不大，但无催化剂条件下难以选区定位生长水平Ⅲ-Ⅴ族纳米线。硅基Ⅲ-Ⅴ族纳米线晶体管不仅能有效提高沟道迁移率等性能，而且可以保证与硅工艺的兼容性，同时降低Ⅲ-Ⅴ族材
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