【摘 要】
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采用UHV/CVD锗硅薄膜生长工艺在SOI衬底上生长应变SiGe/Si结构后,用CMOS工艺流水线制作横向叉指状PIN光电探测器.测试结果为:在垂直入射光照射下,其响应波长范围为0.5~1.2μm,峰值响应波长为0.97μm,在峰值响应波长的响应度为0.4μA/μW.在0~4V的反向偏压下,其暗电流水平低于0.1pA/μm,寄生电容小于1pF.与CMOS集成电路制作具有良好的兼容性.
【出 处】
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第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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采用UHV/CVD锗硅薄膜生长工艺在SOI衬底上生长应变SiGe/Si结构后,用CMOS工艺流水线制作横向叉指状PIN光电探测器.测试结果为:在垂直入射光照射下,其响应波长范围为0.5~1.2μm,峰值响应波长为0.97μm,在峰值响应波长的响应度为0.4μA/μW.在0~4V的反向偏压下,其暗电流水平低于0.1pA/μm<2>,寄生电容小于1pF.与CMOS集成电路制作具有良好的兼容性.
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