【摘 要】
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ZnO是一种具有纤锌矿结构和直接带隙的宽带半导体,在室温下的禁带宽度为3.37 eV,与GaN的禁带宽度相近.ZnO主要靠激子复合发射紫外光,其激子结合能高达60 meV,远大于GaN的
【机 构】
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辽宁师范大学 物理与电子技术学院,辽宁 大连 116029
【出 处】
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第12届全国发光学学术会议暨发光学相关产业研讨会
论文部分内容阅读
ZnO是一种具有纤锌矿结构和直接带隙的宽带半导体,在室温下的禁带宽度为3.37 eV,与GaN的禁带宽度相近.ZnO主要靠激子复合发射紫外光,其激子结合能高达60 meV,远大于GaN的激子束缚能(21 meV)和室温热能(26 meV),理论上在室温会获得高效的紫外激子发光,被认为是制备高效紫外发光二极管和低阈值紫外激光器的理想材料,有着广阔的应用前景.而对于ZnO纳米线,从理论上可以推测,其电子态密度分布更集中,激子束缚能愈大,并且激子共振更强烈,因而他们的吸收、发光等光跃迁谱更窄化,光与物质的相互作用更有效.这意味着ZnO纳米线在光电应用方面具有更优越的性能,因此制备高质量的ZnO纳米线成为一个重要的研究方向.由于ZnO是本征n型半导体材料,很容易获得n型ZnO,但是p型ZnO却很难制备.而为了实现ZnO基光电器件的实际应用,p型ZnO的掺杂是必不可少的一个过程.虽然ZnO的p型纳米材料制备还是比较困难的,研究的也比较少,但目前一些研究组经过大量努力已经制备出Sb、P、As等掺杂的ZnO纳米材料.据我们所知目前As掺杂ZnO纳米结构都是采用砷的热扩散方法制备的,在本文中,我们采用GaAs粉末作为As源、Zn粉做为Zn源,氧气做为氧源的新颖方法制备出了高取向As掺杂ZnO纳米线.
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