【摘 要】
：
ZnO-基半导体,包括ZnO,MgO,CdO及其三元合金半导体,以其宽可调的直接带隙(ZnO的带隙在300K时为3.3eV)、高的激子结合能(在ZnO体材料中激子结合能达60 meV)及其它的优点(易于生长为各种纳米结构,具有生物兼容性等),成为近年来半导体物理与器件研究等方面的热点之一[1].
【机 构】
：
广州番禺职业技术学院,机械与电子系,广东广州511483
论文部分内容阅读
ZnO-基半导体,包括ZnO,MgO,CdO及其三元合金半导体,以其宽可调的直接带隙(ZnO的带隙在300K时为3.3eV)、高的激子结合能(在ZnO体材料中激子结合能达60 meV)及其它的优点(易于生长为各种纳米结构,具有生物兼容性等),成为近年来半导体物理与器件研究等方面的热点之一[1].
其他文献
GaN基发光二极管(LED)目前己在显示、信号指示和白光照明等领域起到十分重要的作用,然而其量子效率仍然较低,已成为制约其发展的瓶颈.LED的外量子效率主要由内量子效率和提取效率共同决定.
作为一种间接带隙半导体金属氧化物,氧化钨(WO3)在光催化、智能玻璃以及化学传感器等方面具有重要的应用.我们以单层胶体晶体为模板,通过"逐层构筑"策略制备层数可控的氧化钨有序多孔薄膜.
在自主设计的具有收敛磁场位形的ECR等离子体源上进行了CVD金刚石膜刻蚀处理,此ECR等离子体源具有磁场位型多变,等离子体参数易于控制等优点.主要研究了基片台规格和基片台加热温度对CVD金刚石膜刻蚀的影响.运用SEM对刻蚀前后的金刚石膜形貌进行了表征.结果表明:使用小规格基片台可以增强刻蚀效果.
低频噪声特性分析是研究场效应管器件界面特性及其载流子输运机制的有效手段.在本文中,我们研究了非晶InGaZnO (a-IGZO)基薄膜晶体管的低频噪声特性,并藉此对其界面陷阱态密度进行了表征.
我们采用射频磁控溅射技术溅射CuS、ZnS、SnS2(化学计量比为1∶2∶1)混合靶材,在玻璃衬底上沉积前驱体,然后硫化退火制备Cu2ZnSnS4 (CZTS)薄膜.通过EDS能量色谱仪、X射线衍射仪、拉曼光谱仪、紫外-分光光度计、扫描电子显微镜对薄膜进行表征分析.
基于GaN材料制备的AlGaN/GaN高电子迁移率场效应晶体管(HEMT)由于有着高浓度的二维电子气(2DEG)以及高电子迁移率,在新一代高频、大功率器件中有着突出的应用优势.
高Al组分的P型AlGaN在紫外探测器、紫外LED等光电子器件中具有普遍的应用.但实现高电导性的P型AlGaN,依然是现在需要解决的难题.在GaN中Mg的激活能达到160meV,在AlN中激活能在0.5-0.6eV之间,这决定了在常温下只有大约1％的Mg杂质可以被激活,得不到高的空穴浓度和良好的电导性能.
Ⅲ-Ⅴ族稀铋(bismuth,Bi)半导体能隙收缩系数大、辐射波长温度敏感性低和自旋-轨道(spin-orbit,SO)耦合强等特性[1],在近红外探测和发光领域具有重要的应用价值.
氧化铟是一种宽带隙半导体材料,具有高的可见光透过率和高的单晶体迁移率,这些特点使得In2O3在制作高性能TFT方面具有很大优势.而ZnO薄膜由于存在氧空位和锌填隙的缺陷,使得室温下很难生长出高结晶质量的薄膜,因此我们采用单纯的In2O3薄膜作为有源层.用热氧化的方法在P型硅上生长一层200nm厚的SiO2作为绝缘层,然后通过射频磁控溅射技术室温下生长一层50nm的In2O3薄膜,采用热蒸发金属Al
从能量守恒角度,利用傅里叶分析方法,研究了离散形式下对流项和黏性项对动能变化的不同作用,指出了在对流项处理得当的条件下,黏性项的计算偏差是导致计算失稳的主要原因,并提出了利用人工黏性弥补这一计算偏差的方法.以四阶中心基本离散格式为例,说明了八阶人工黏性施加方法,人工黏性项含有一个可调参数,这个参数可以根据基础格式计算出的耗散与真实耗散的偏差确定出最大值与最小值,也给出了确定最优参数的准则.