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本文设计了一种与基准配套的对温度、电源电压、MOS工艺的变化敏感度都很小的振荡器。通过采用正温电阻得到一个经过一阶温度补偿的振荡器电容充电电流，同时通过设计振荡器的高低翻转阈值精确等于基准电压VREF，独立于MOS工艺变化，从而实现高温度补偿，对电源电压以及MOS工艺变化不敏感的高性能稳定振荡器。振荡器工作频率100kHz，占空比设计为64％，通过HSPICE仿真验证其稳定性并采用58所3um高压工艺实现。