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本文报道了最新Si上GaN大功率芯片(400um×600um)的封装老化结果。芯片制备采用的上下电极垂直结构与Ag反射镜工艺，封装采用普通大功率封装支架封装，封装好后的蓝光LED管芯在20mA下光功率达到了18mW。最后在高温125℃大电流90mA下进行无散热的加速老化实验，老化结果表明无论是蓝光还是白光封装，芯片电学性能稳定，无光衷，可靠性已经达到商品化实用要求。