【摘 要】
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目前,人们广泛研究使用13.5nm(2％带宽)辐射光的极紫外光刻技术(EUVL)以用于22nm或更窄刻线的光刻处理中.本文基于Al2O3材料毛细管放电Z箍缩技术,获得Xe介质高温高密度离子
【机 构】
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哈尔滨工业大学可调谐激光技术国家级重点实验室,黑龙江省哈尔滨150001
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目前,人们广泛研究使用13.5nm(2％带宽)辐射光的极紫外光刻技术(EUVL)以用于22nm或更窄刻线的光刻处理中.本文基于Al2O3材料毛细管放电Z箍缩技术,获得Xe介质高温高密度离子体,实现Xe10+ 13.5nm辐射光输出.通过对比研究不同放电电压和Xe气流量条件下主脉冲单独放电与预-主脉冲联合放电电压电流及光谱,分析预脉冲放电对Xe等离子体极紫外辐射及放电稳定性的影响.实验结果表明预脉冲放电,虽然对Xe各高价离子谱线强度没有明显影响,但采用预脉冲放电技术改善了放电介质的击穿特性,提高了放电稳定性.采用主脉冲单独放电,Xe气流量小于7sccm时气体无法击穿,此时由于Xe气气压过高13.5nm辐射光强很弱,采用预-主脉冲联合放电后,Xe气流量减小为0.2sccm时气体仍然击穿良好,实验结果表明13.5nm辐射输出最佳流量为0.4sccm.
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