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在1100V IGBT的基础上，引入电场中止技术和近表面层载流子浓度增大技术，通过不同参数下IGBT结构的模拟，分别定量分析了N-漂移区、N+缓冲层和空穴阻挡层的厚度和掺杂浓度对IGBT器件的转移特性、开态特性、开关特性以及耐压的影响，优化了IGBT结构参数，为IGBT结构的改进提供了参考。
1100VIGBT结构参数的分析
【摘 要】
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在1100V IGBT的基础上，引入电场中止技术和近表面层载流子浓度增大技术，通过不同参数下IGBT结构的模拟，分别定量分析了N-漂移区、N+缓冲层和空穴阻挡层的厚度和掺杂浓度对IGBT器
【机 构】
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西安理工大学电子工程系,西安,710048
【出 处】
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2008年中国电工技术学会电力电子学会第十一届学术年会
【发表日期】
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2008年期
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