【摘 要】
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采用标准CMOS工艺,在N型单晶(100)硅衬底上,研制成功一种视觉硅PN结光电探测器,对探测器进行了参数测试和分析,重点研究了探测器光响应信噪比.研究发现,增加减反射膜和特殊的光谱响应普段调节技术,特别是当减反射膜厚度为探测波长的一半时,探测器的相对响应度有最大值.在520nm左右,光响应信噪比可达10以上.研制的探测器对绿光探测灵敏,具有灵敏度高、暗电流小的特点,是一种可供选择使用的理想硅视觉
【出 处】
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
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采用标准CMOS工艺,在N型单晶(100)硅衬底上,研制成功一种视觉硅PN结光电探测器,对探测器进行了参数测试和分析,重点研究了探测器光响应信噪比.研究发现,增加减反射膜和特殊的光谱响应普段调节技术,特别是当减反射膜厚度为探测波长的一半时,探测器的相对响应度有最大值.在520nm左右,光响应信噪比可达10<4>以上.研制的探测器对绿光探测灵敏,具有灵敏度高、暗电流小的特点,是一种可供选择使用的理想硅视觉光电探测器.
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多线切割机用于晶圆切割具有表面损伤层浅,切缝窄,切割速度快(片平均)等优点在半导体、电子行业的应用已经有较长的时间了,本文就多线切割如何获得好的切割质量以及在实际中的应用遇到的问题做一些介绍和分析,并就其结构和控制方面提出一些改进建议,以下均以日本U-600线切割机为例说明.
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采用Metropolis Monte Carlo(MC)方法研究了,不同杂质电荷以及高度对2维Wigner晶格的影响.该系统由有限个在抛物限制势场中带电粒子所组成,我们发现对不同粒子数系统,杂质效应会引致的两种不同类型的相变.其中具有幻数的系统具有很强的稳定性,杂质的影响较小,但随着杂质电荷的增加,其不同壳层之间会发生混合.
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