【摘 要】
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本文设计了一种V波段的双平衡混频器芯片。电路采用肖特基二极管作为混频元件,本振、射频端口采用三节Marchand巴伦结构,通过级间匹配技术改善电路特性和端口驻波,电磁仿真优
【机 构】
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中国电子科技集团公司第十三研究所;
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本文设计了一种V波段的双平衡混频器芯片。电路采用肖特基二极管作为混频元件,本振、射频端口采用三节Marchand巴伦结构,通过级间匹配技术改善电路特性和端口驻波,电磁仿真优化参数后,在Ga As p HEMT工艺平台上完成V波段的无源双平衡混频器芯片的开发。经测试,该芯片在52~66GHz频带内变频损耗小于9d B,带内幅度平坦度小于2d B,本振到射频端口隔离度大于25d B,满足工程应用需求。
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