论文部分内容阅读
半导体量子点一直是半导体材料与器件的研究热点之一,而图形化硅衬底的制备有助于形成有序的半导体量子点.基于纳米级的均匀的聚苯乙烯小球,我们采用LB(Langmuir-Blodgett)法,利用聚苯乙烯小球的自有序的特点,在硅衬底上均匀铺上一层单层的,且为六方密排结构的聚苯乙烯球膜,并以此为基础制备金-氧化硅掩膜板.